Número de Producto del Fabricante:
IXFN180N10
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFN180N10-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
12819265
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ENVIAR
IXFN180N10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN180
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Otros nombres
479462
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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