Número de Producto del Fabricante:
IXFH67N10Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH67N10Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12819869
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ENVIAR
IXFH67N10Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
67A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH67
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
HUF75639G3
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
415
NÚMERO DE PIEZA
HUF75639G3-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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