Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Chile
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Chile
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IXFH67N10
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH67N10-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12822199
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFH67N10 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
67A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH67
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFH110N10P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFH110N10P-DG
PRECIO UNITARIO
3.80
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRFP3710PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
13987
NÚMERO DE PIEZA
IRFP3710PBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
HUF75639G3
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
415
NÚMERO DE PIEZA
HUF75639G3-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTA130N10T7
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
IXFH11N80
MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
IXTA110N055T2
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
IXFH12N80P
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD