Número de Producto del Fabricante:
IXFH32N100X
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH32N100X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
1 Pcs Nuevos Originales En Stock
12823945
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ENVIAR
IXFH32N100X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
220mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4075 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH32
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SCT20N120
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
580
NÚMERO DE PIEZA
SCT20N120-DG
PRECIO UNITARIO
10.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SCT3160KLGC11
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2223
NÚMERO DE PIEZA
SCT3160KLGC11-DG
PRECIO UNITARIO
5.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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