Número de Producto del Fabricante:
IXFA130N10T2-TRL
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFA130N10T2-TRL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
13270771
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFA130N10T2-TRL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HiPerFET™, TrenchT2™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.1mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IXFA130
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
238-IXFA130N10T2-TRLTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFH18N65X2
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
IXTX660N04T4
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
IXTY02N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
