IV1Q12050T4
Número de Producto del Fabricante:

IV1Q12050T4

Product Overview

Fabricante:

Inventchip

Número de pieza:

IV1Q12050T4-DG

Descripción:

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 344W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventario:

12975354
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IV1Q12050T4 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Inventchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3.2V @ 6mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2750 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
344W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
4084-IV1Q12050T4

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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