Número de Producto del Fabricante:
IRFH8316TRPBF-IR
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
Número de pieza:
IRFH8316TRPBF-IR-DG
Descripción:
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
6260 Pcs Nuevos Originales En Stock
12942882
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ENVIAR
IRFH8316TRPBF-IR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Ta), 50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.95mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3610 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
866
Otros nombres
2156-IRFH8316TRPBF-IR
IFEIRFIRFH8316TRPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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