Número de Producto del Fabricante:
IRFH4210DTRPBF
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
Número de pieza:
IRFH4210DTRPBF-DG
Descripción:
HEXFET POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 44A (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventario:
937 Pcs Nuevos Originales En Stock
12941085
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ENVIAR
IRFH4210DTRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
44A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4812 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IRFH4210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
250
Otros nombres
2156-IRFH4210DTRPBF
IFEIRFIRFH4210DTRPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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