Número de Producto del Fabricante:
IRF60DM206
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
Número de pieza:
IRF60DM206-DG
Descripción:
IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Inventario:
51208 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946577
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF60DM206 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
StrongIRFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6530 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DirectFET™ Isometric ME
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric ME
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
208
Otros nombres
2156-IRF60DM206
INFIRFIRF60DM206
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDMS7670
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDPF51N25YDTU
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
FDP025N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1