Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Chile
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Chile
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
AUIRFS3607
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
Número de pieza:
AUIRFS3607-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
550 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978473
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
L
I
t
v
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
AUIRFS3607 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3070 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
AUIRFS3607
Hoja de datos HTML
AUIRFS3607-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
148
Otros nombres
INFIRFAUIRFS3607
2156-AUIRFS3607
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI1302DL-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
FCA22N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
IAUC120N06S5N017ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
IRFR010PBF-BE3
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK