AUIRF1010ZL
Número de Producto del Fabricante:

AUIRF1010ZL

Product Overview

Fabricante:

International Rectifier

Número de pieza:

AUIRF1010ZL-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

Inventario:

8552 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946973
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

AUIRF1010ZL Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2840 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
224
Otros nombres
2156-AUIRF1010ZL
INFINFAUIRF1010ZL

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8796

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDD8880_F054

1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE

fairchild-semiconductor

FDP8880

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1