Número de Producto del Fabricante:
SPU08P06P
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPU08P06P-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
13064271
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ENVIAR
SPU08P06P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.83A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
SPU08P
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SP000012086
SPU08P06PXTIN-ND
SPU08P06PIN
SPU08P06PIN-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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