Número de Producto del Fabricante:
SPP20N60S5HKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPP20N60S5HKSA1-DG
Descripción:
HIGH POWER_LEGACY
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12807624
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ENVIAR
SPP20N60S5HKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SPP20N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SP000012116
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCP20N60
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
3963
NÚMERO DE PIEZA
FCP20N60-DG
PRECIO UNITARIO
2.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SPP20N60S5XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3452
NÚMERO DE PIEZA
SPP20N60S5XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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