Número de Producto del Fabricante:
SPP04N80C3XK
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPP04N80C3XK-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12807670
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ENVIAR
SPP04N80C3XK Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 240µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
570 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SPP04N
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP000013706
2156-SPP04N80C3XK
IFEINFSPP04N80C3XK
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPP04N80C3XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
590
NÚMERO DE PIEZA
SPP04N80C3XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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