Número de Producto del Fabricante:
SPD30P06PGBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPD30P06PGBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
16514 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807354
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ENVIAR
SPD30P06PGBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
75mOhm @ 21.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1535 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SPD30P06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SPD30P06PGBTMA1CT
2832-SPD30P06PGBTMA1
SPD30P06P G
SPD30P06PGBTMA1DKR
SPD30P06P GCT
SPD30P06P G-DG
SPD30P06P GCT-DG
SPD30P06P GTR-DG
SPD30P06PG
SPD30P06P GDKR
SPD30P06PGBTMA1TR
SP000441776
SPD30P06P GDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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