Número de Producto del Fabricante:
SPD15P10PLGBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPD15P10PLGBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
7981 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816727
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SPD15P10PLGBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 11.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1.54mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
128W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
SPD15P10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SPD15P10PLGBTMA1DKR
SPD15P10PLGBTMA1CT
SPD15P10PL GDKR
SP000317393
SPD15P10PL G
SPD15P10PL GCT
SPD15P10PLGBTMA1TR
SPD15P10PL G-DG
SPD15P10PL GTR-DG
SPD15P10PL GTR
SPD15P10PL GDKR-DG
SPD15P10PL GCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CSD16403Q5A
MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
IPS60R3K4CEAKMA1
CONSUMER
TP0610K-T1
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3