Número de Producto del Fabricante:
SPB21N50C3ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPB21N50C3ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
2928 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807539
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ENVIAR
SPB21N50C3ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
560 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SPB21N50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SPB21N50C3XT
SPB21N50C3INCT
SPB21N50C3INCT-DG
SPB21N50C3INTR-DG
INFINFSPB21N50C3ATMA1
SPB21N50C3ATMA1CT
Q2088067
SPB21N50C3
SPB21N50C3INTR
SPB21N50C3-DG
SPB21N50C3ATMA1DKR
SPB21N50C3INDKR-DG
2156-SPB21N50C3ATMA1
SPB21N50C3ATMA1TR
SPB21N50C3INDKR
SP000013833
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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