Número de Producto del Fabricante:
SPB18P06P
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPB18P06P-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
12816252
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ENVIAR
SPB18P06P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
81.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SPB18P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SPB18P06PT
2156-SPB18P06P-ITTR
INFINFSPB18P06P
SP000012329
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPB18P06PGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2030
NÚMERO DE PIEZA
SPB18P06PGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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