Número de Producto del Fabricante:
ISP25DP06LMSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
ISP25DP06LMSATMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventario:
12805577
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ENVIAR
ISP25DP06LMSATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
250mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
ISP25DP06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP004987240
ISP25DP06LMSATMA1-DG
448-ISP25DP06LMSATMA1CT
448-ISP25DP06LMSATMA1DKR
448-ISP25DP06LMSATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
ISP25DP06LMXTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1297
NÚMERO DE PIEZA
ISP25DP06LMXTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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