Número de Producto del Fabricante:
ISC073N12LM6ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
ISC073N12LM6ATMA1-DG
Descripción:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 13.4A (Ta), 86A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Inventario:
4071 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002850
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ENVIAR
ISC073N12LM6ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.4A (Ta), 86A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
3.3V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
ISC073
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-ISC073N12LM6ATMA1TR
448-ISC073N12LM6ATMA1DKR
448-ISC073N12LM6ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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