Número de Producto del Fabricante:
ISC022N10NM6ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
ISC022N10NM6ATMA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V PG-TSON-8
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Inventario:
7305 Pcs Nuevos Originales En Stock
12968220
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ENVIAR
ISC022N10NM6ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Ta), 230A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.24mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.3V @ 147µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6880 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 254W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSON-8-3
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
ISC022N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP005339558
448-ISC022N10NM6ATMA1CT
448-ISC022N10NM6ATMA1DKR
448-ISC022N10NM6ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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