Número de Producto del Fabricante:
IRLU3717PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLU3717PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 120A (Tc) 89W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12805451
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRLU3717PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.45V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2830 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
*IRLU3717PBF
SP001573078
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRL2703S
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
IRLR8503PBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRLBL1304
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK