Número de Producto del Fabricante:
IRLU3636PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLU3636PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12860937
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ENVIAR
IRLU3636PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3779 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IRLU3636
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP001567320
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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