Número de Producto del Fabricante:
IRLU3410PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLU3410PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventario:
5087 Pcs Nuevos Originales En Stock
12812955
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRLU3410PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
105mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK (TO-251AA)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IRLU3410
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
*IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-DG
SP001574164
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB060N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
IPA80R900P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
IRF7422D2TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
