Número de Producto del Fabricante:
IRLR6225TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLR6225TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventario:
7093 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806190
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ENVIAR
IRLR6225TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4mOhm @ 21A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3770 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IRLR6225
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
IRLR6225TRPBFCT
IRLR6225TRPBFDKR
IRLR6225TRPBFTR
SP001573984
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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