Número de Producto del Fabricante:
IRLI530NPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLI530NPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventario:
12806376
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ENVIAR
IRLI530NPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB Full-Pak
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
2156-IRLI530NPBF
IFEINFIRLI530NPBF
*IRLI530NPBF
SP001573830
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRLI530GPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
795
NÚMERO DE PIEZA
IRLI530GPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.72
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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