Número de Producto del Fabricante:
IRL80HS120
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRL80HS120-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 12.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventario:
35804 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806219
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ENVIAR
IRL80HS120 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
32mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 10µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
11.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paquete / Caja
6-PowerVDFN
Número de producto base
IRL80HS120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001592838
IRL80HS120TR
IRL80HS120CT
IRL80HS120DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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