Número de Producto del Fabricante:
IRFU3410PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFU3410PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventario:
3321 Pcs Nuevos Originales En Stock
12818752
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ENVIAR
IRFU3410PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
39mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1690 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK (TO-251AA)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IRFU3410
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
2156-IRFU3410PBF
INFINFIRFU3410PBF
SP001578398
*IRFU3410PBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
NTD6414ANT4G
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
794
NÚMERO DE PIEZA
NTD6414ANT4G-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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