Número de Producto del Fabricante:
IRFTS8342TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFTS8342TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 8.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
16344 Pcs Nuevos Originales En Stock
12822858
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ENVIAR
IRFTS8342TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6
Número de producto base
IRFTS8342
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IRFTS8342TRPBFCT
IRFTS8342TRPBFTR
SP001552394
2156-IRFTS8342TRPBFTR
IRFTS8342TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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