IRFS33N15D
Número de Producto del Fabricante:

IRFS33N15D

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFS33N15D-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventario:

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IRFS33N15D Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
56mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
IRFB, IRFS(L)33N15D

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRFS33N15D

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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