IRFR2605
Número de Producto del Fabricante:

IRFR2605

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFR2605-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12806238
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFR2605 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
IRFR2605, IRFU2605

Información Adicional

Paquete Estándar
75

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
infineon-technologies

IPP12CN10N G

MOSFET N-CH 100V 67A TO220-3

infineon-technologies

IRLR2908PBF

MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

infineon-technologies

IRLU014NPBF

MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK

infineon-technologies

IRLR7807ZTRRPBF

MOSFET N-CH 30V 43A DPAK