IRFP3703PBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFP3703PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFP3703PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventario:

2844 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803472
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IRFP3703PBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
210A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 76A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
209 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IRFP3703

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
25
Otros nombres
2156-IRFP3703PBF
SP001556744
*IRFP3703PBF
INFINFIRFP3703PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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