Número de Producto del Fabricante:
IRFI4229PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFI4229PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 19A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
411 Pcs Nuevos Originales En Stock
13064110
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ENVIAR
IRFI4229PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
46mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4480 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRFI4229
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001575824
2156-IRFI4229PBF
INFINFIRFI4229PBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFB4229PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
993
NÚMERO DE PIEZA
IRFB4229PBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDPF2710T
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FDPF2710T-DG
PRECIO UNITARIO
2.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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