Número de Producto del Fabricante:
IRFHS8342TR2PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFHS8342TR2PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-6
Inventario:
12806715
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ENVIAR
IRFHS8342TR2PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.8A (Ta), 19A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.7 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
600 pF @ 25 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-6
Paquete / Caja
6-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
IRFHS8342TR2PBFCT
IRFHS8342TR2PBFDKR
IRFHS8342TR2PBFTR
SP001575842
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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