Número de Producto del Fabricante:
IRFHS8242TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFHS8242TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventario:
442 Pcs Nuevos Originales En Stock
12822891
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ENVIAR
IRFHS8242TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.9A (Ta), 21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
653 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paquete / Caja
6-PowerVDFN
Número de producto base
IRFHS8242
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
448-IRFHS8242TRPBFTR
448-IRFHS8242TRPBFCT
IRFHS8242TRPBF-DG
SP001554858
448-IRFHS8242TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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