Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Chile
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Chile
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IRFHM8363TR2PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFHM8363TR2PBF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12806532
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFHM8363TR2PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1165pF @ 10V
Potencia - Máx.
2.7W
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Número de producto base
IRFHM8363
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IRFHM8363TR2PBF
Hoja de datos HTML
IRFHM8363TR2PBF-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
IRFHM8363TR2PBFTR
IRFHM8363TR2PBFDKR
SP001564106
IRFHM8363TR2PBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF7304PBF
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
IRF7304
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SO
IRLHS6276TR2PBF
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
IRF7301PBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SO