Número de Producto del Fabricante:
IRFHM830TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFHM830TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Inventario:
8408 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804851
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ENVIAR
IRFHM830TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2155 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
IRFHM830
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRFHM830TRPBF-DG
IRFHM830TRPBFTR
SP001566782
IRFHM830TRPBFDKR
IRFHM830TRPBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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