Número de Producto del Fabricante:
IRFH8201TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH8201TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
14568 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807187
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ENVIAR
IRFH8201TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7330 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IRFH8201
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRFH8201TRPBFCT
IRFH8201TRPBFDKR
2156-IRFH8201TRPBFTR
IRFH8201TRPBFTR
IRFH8201TRPBF-DG
SP001577876
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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