Número de Producto del Fabricante:
IRFH5025TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH5025TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
12806856
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ENVIAR
IRFH5025TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2150 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
IRFH5025
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRFH5025TRPBFCT
IRFH5025TRPBFTR
INFINFIRFH5025TRPBF
IRFH5025TRPBF-DG
SP001575486
IRFH5025TRPBFDKR
2156-IRFH5025TRPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TPH1110FNH,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
11608
NÚMERO DE PIEZA
TPH1110FNH,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.68
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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