Número de Producto del Fabricante:
IRFH5020TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH5020TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
7900 Pcs Nuevos Originales En Stock
12805842
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ENVIAR
IRFH5020TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IRFH5020
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRFH5020TRPBFDKR
IRFH5020TRPBFTR
IRFH5020TRPBFCT
IRFH5020TRPBF-DG
SP001575478
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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