Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Chile
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Chile
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IRFH4213TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH4213TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 41A PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 41A (Ta) 3.6W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12822785
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFH4213TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
41A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3420 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IRFH4213TRPBF
Hoja de datos HTML
IRFH4213TRPBF-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001551856
IRFH4213TRPBFDKR
IRFH4213TRPBFCT
IRFH4213TRPBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
CSD17556Q5BT
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
942
NÚMERO DE PIEZA
CSD17556Q5BT-DG
PRECIO UNITARIO
1.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTQ62N15P
MOSFET N-CH 150V 62A TO3P
BSN254A,126
MOSFET N-CH 250V 310MA TO92-3
IRFR3303CPBF
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IRFR220NTRRPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK