IRFBA1404P
Número de Producto del Fabricante:

IRFBA1404P

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFBA1404P-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 206A (Tc) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)

Inventario:

12805325
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFBA1404P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
206A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 95A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
SUPER-220™ (TO-273AA)
Paquete / Caja
TO-273AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRFBA1404P

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IPW65R310CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247-3

infineon-technologies

IRFBL3703

MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK

infineon-technologies

IRFZ44ZL

MOSFET N-CH 55V 51A TO262

infineon-technologies

IRFR120ZPBF

MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK