IRFB7530PBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFB7530PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFB7530PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

9798 Pcs Nuevos Originales En Stock
12805644
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFB7530PBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
195A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
411 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13703 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRFB7530

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001575524
IRFB7530PBF-DG
448-IRFB7530PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRF7201

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

infineon-technologies

IPP80N04S3H4AKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRLMS6802TRPBF

MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6

infineon-technologies

IRF7842PBF

MOSFET N-CH 40V 18A 8SO