Número de Producto del Fabricante:
IRFB4020PBFXKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFB4020PBFXKMA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Inventario:
13269103
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ENVIAR
IRFB4020PBFXKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-904
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IRFB4020PBFXKMA1
SP005826517
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
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