Número de Producto del Fabricante:
IRFB11N50APBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFB11N50APBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12806089
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ENVIAR
IRFB11N50APBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1423 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IRFB11N50APBF
SP001563792
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFB11N50APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2122
NÚMERO DE PIEZA
IRFB11N50APBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.98
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
IRFB11N50APBF-BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2600
NÚMERO DE PIEZA
IRFB11N50APBF-BE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.00
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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