Número de Producto del Fabricante:
IRF8910TRPBFXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF8910TRPBFXTMA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902
Inventario:
4000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000564
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ENVIAR
IRF8910TRPBFXTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel
Función FET
Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.55V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
960pF @ 10V
Potencia - Máx.
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-DSO-8-902
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
448-IRF8910TRPBFXTMA1CT
448-IRF8910TRPBFXTMA1DKR
448-IRF8910TRPBFXTMA1TR
SP005876294
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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