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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IRF8513PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF8513PBF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 8A, 11A 1.5W, 2.4W Surface Mount 8-SO
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12802909
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Cantidad
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ENVIAR
IRF8513PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A, 11A
rds activados (máx.) @ id, vgs
15.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
766pF @ 15V
Potencia - Máx.
1.5W, 2.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRF8513
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IRF8513PBF
Hoja de datos HTML
IRF8513PBF-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
95
Otros nombres
SP001555762
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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