Número de Producto del Fabricante:
IRF7910TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7910TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Inventario:
12823192
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ENVIAR
IRF7910TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1730pF @ 6V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRF7910
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRF7910TRPBFTR
IRF7910TRPBFDKR
INFINFIRF7910TRPBF
SP001565662
IRF7910TRPBF-DG
IRF7910TRPBFCT
2156-IRF7910TRPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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