Número de Producto del Fabricante:
IRF7807ZPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7807ZPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
12804712
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ENVIAR
IRF7807ZPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.25V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
770 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
95
Otros nombres
Q2079001C
Q2585122
INFIRFIRF7807ZPBF
2156-IRF7807ZPBF-IT
376S0339
SP001554410
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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