Número de Producto del Fabricante:
IRF7769L2TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7769L2TR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Inventario:
12805589
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ENVIAR
IRF7769L2TR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
375A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 74A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11560 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DirectFET™ Isometric L8
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric L8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF7769L2TR1PBFCT
SP001566410
IRF7769L2TR1PBFDKR
IRF7769L2TR1PBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
AUIRF7769L2TR
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7950
NÚMERO DE PIEZA
AUIRF7769L2TR-DG
PRECIO UNITARIO
4.77
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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